5月22日，安徽长飞先进半导体在完成兼并收购一周年之际，于安徽芜湖隆重举办了以“飞扬”为主题的首届战略发布会。此次盛会嘉宾云集，芜湖市政府相关领导、合作伙伴、股东、投资人以及公司员工齐聚一堂，共同见证了这一历史时刻。

长飞先进董事长庄丹先生致开幕辞

    长飞光纤执行董事兼总裁/长飞先进董事长庄丹先生对各位来宾表示了热烈欢迎，过去一年公司在管理层以及全体员工的不懈努力下，在战略客户拓展、融资、产品开发、工艺提升、组织发展、产能布局等方面均实现突破性进展，相关成绩的取得离不开安徽省政府、芜湖市政府、弋江区政府、股东、客户、投资人和合作伙伴的鼎力支持，对长期支持公司发展的各合作伙伴致以了最诚挚的谢意。董事长庄丹郑重承诺，一定会坚定不移地继续发展、壮大长飞先进半导体，朝向更高的目标奋进。

长飞先进总裁陈重国作战略发布

    公司总裁陈重国回顾了公司并购重组完成后一年来取得的各项成就，成功实现“蝶变”。据介绍，长飞先进引进了近百名拥有半导体国际大厂背景的核心团队成员，核心团队成员平均15年以上行业从业经验，并成功实现由“Foundry”到“IDM+Foundry”的业务转型，建立了系统的产品开发、产品管理、业务拓展能力，打造了完整的650v-3300V SiC产品矩阵，实现了从光伏、储能、充电桩到新能源汽车等应用领域的全覆盖，同时进一步完善了专业的SiC晶圆代工服务体系，为客户提供更高质量、更全面的产品代工服务。

    会上，总裁陈重国明确提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，致力于成为“世界领先的宽禁带半导体”公司！

武汉基地启动建设

    在会上，总裁陈重国宣布位于“武汉·中国光谷”的第二制造基地建设正式启动，据悉该项目规模达年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等，预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，公司产能规模将居行业绝对领先地位。

    目前，该项目的各项准备工作已经就绪，蓄势待发，他们将按照“高起点规划、高水平设计、高标准建设”的原则，建设一座全智能化的世界级晶圆制造工厂。

A轮股权融资进展顺利

    长飞先进良好的发展势头引来了投资机构的广泛关注，据悉，公司正在进行的A轮融资进展顺利，融资规模或创国内第三代半导体开始发展以来行业单笔私募融资最高记录。

研发大楼正式启用

    “飞扬”战略发布大会当天，长飞先进位于安徽芜湖的12层研发大楼正式启用，据介绍这是公司继上海技术中心后的又一个研发基地。

    志存高远、脚踏实地，面对未来十年的SiC黄金赛道，长飞先进将依托强大的人才团队、雄厚的资金实力、充足的产能保障，倾力将公司打造“成为世界领先的宽禁带半导体公司”。（长飞公司）